ФТТ, 2003, том 45, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Поверхность Ферми и электрофизические характеристики дисилицида молибдена

С.И.Курганский, Н.С.Переславцева, Е.В.Левицкая

Воронежский государственный университет,
394006 Воронеж, Россия
E-mail: phssd18@main.vsu.ru

(Поступила в Редакцию 9 апреля 2002 г.)

Полурелятивистский самосогласованный расчет электронной структуры MoSi2 проводился в рамках метода линеаризованных присоединенных плоских волн в локальном приближении функционала плотности. Представлены результаты исследования зонной структуры, поверхности Ферми и электрофизических характеристик (эффективных циклотронных масс, коэффициента анизотропии электропроводности, длины свободного пробега и коэффициента gamma при линейном по температуре члене теплоемкости). Поверхность Ферми состоит из двух листов: электронного и дырочного. Площади экстремальных сечений поверхности Ферми достаточно хорошо согласуются с экспериментом по изучению эффекта де Гааза--ван Альфена. Данные первопринципных расчетов не потребовали дополнительной корректировки.

 PDF версия (198Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster