ФТТ, 2000, том 42, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Магнитопоглощение гексагональных кристаллов CdSe
в сильных и слабых полях: квазикубическое приближение

А.Б.Капустина, Б.В.Петров, А.В.Родина, Р.П.Сейсян

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: rseis@ffm.ioffe.rssi.ru

(Поступила в Редакцию 21 октября 1999 г.
В окончательной редакции 10 января 2000 г.)

Исследованы спектры сверхтонких свободных образцов гексагонального CdSe в магнитном поле до 8 T при температуре 1.7 K. Веерная диаграмма содержит информацию как о слабых магнитных полях (эффект Зеемана и диамагнитный сдвиг), так и о сильных полях (переходы между уровнями Ландау). После применения двух теоретических моделей для совместной интерпретации сильно- и слабополевых экспериментальных данных были вычислены два набора параметров (зонные и поляронные) для гексагонального CdSe в рамках квазикубической аппроксимации. Значения полученных поляронных/зонных параметров: эффективная масса электрона me=0.125/0.116m0, параметры Латтинжера gamma1=1.5/1.72, gamma=0.29/0.37, kappa=-0.63 и эффективный g-фактор электрона ge=0.7.

Эта работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 99-02-16750), а также INTAS --- 1997 OPEN --- 1609.

 PDF версия (880Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2000, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster