ФТТ, 2000, том 42, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние уровня возбуждения и электрического поля на релаксацию
фотопроводимости поликристаллических слоев CdxHg1-xTe / GaAs

А.И.Власенко, В.А.Гнатюк, Е.С.Городниченко, П.Е.Мозоль

Институт физики полупроводников Академии наук Украины,
252650 Киев, Украина
E-mail: gnatyuk@class.semicond.kiev.ua

(Поступила в Редакцию 17 сентября 1999 г.)

Исследованы релаксация фотопроводимости (ФП) и стационарная ФП в компенсированных поликристаллических слоях n-Cd0.8Hg0.2Te при T=300 K в зависимости от интенсивности светового потока и напряженности приложенного электрического поля E. Показано, что насыщение стационарной ФП и уменьшение времени релаксации при низких уровнях возбуждения с ростом E обусловлено эффектом вытягивания неосновных носителей заряда, который анализируется с учетом влияния внутреннего электрического поля потенциальных барьеров межзеренной прослойки. Особенности рекомбинации неравновесных носителей, которая протекала по нескольким каналам и зависела от уровня возбуждения и напряженности тянущего электрического поля, связываются с поликристаллической структурой слоев Cd0.8Hg0.2Te.

 PDF версия (126Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2000, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster