Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2014, выпуск 3 » Статья стр. 358
<<<>>>
Исследование электрических свойств одиночных (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов
Буравлев А.Д.1,2, Сибирев Н.В.1,3,2, Гильштейн Е.П.1,3, Брунков П.Н.1,3, Мухин И.С.3,4, Tchernycheva M.5, Хребтов А.И.3, Самсоненко Ю.Б.1,4, Цырлин Г.Э.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5Institut d'Electronique Fondamentale UMR CNRS, Universite Paris Sud 11, Orsay Cedex, France
Поступила в редакцию: 17 июля 2013 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2014 г.
PDF версия
Методом молекулярно-пучковой эпитаксии синтезированы массивы (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов. Использование электронно-лучевой литографии позволило создать электрические контакты к одиночным нитевидным нанокристаллам. Изучено влияние температуры отжига на свойства контактов. Определена оптимальная температура отжига, равная 160oC. Обнаружено, что повышение температуры отжига ведет к деградации структур. На основании исследования вольт-амперных характеристик одиночных нитевидных наноструктур был определен ряд их электрофизических параметров, таких как удельное сопротивление и подвижность носителей заряда.
  1. G. Ling, J. Xiang, N. Kharche, G. Klimeck, C.M. Lieberand, M. Lundstrom. Nono Lett., 7, 642 (2007)
  2. S. Chuang, Q. Gao, R. Kapadia, A.C. Ford, J. Guo, A. Javey. Nano Lett., 13, 555 (2013)
  3. G. Larrieu, X.-L. Han. Nanoscale, 5, 2437 (2013)
  4. T. Brykkert, L. Wernersson, T. Lowgren, L. Samuelson. Nanotechnology, 17 (11), S227 (2006)
  5. А.Д. Буравлев, Д.В. Безнасюк, Е.П. Гильштейн, M. Tchernycheva, A. De Luna Bugallo, L. Rigutti, L. Yu, Yu. Proskuryakov, И.В. Штром, М.А. Тимофеева, Ю.Б. Самсоненко, А.И. Хребтов, Г.Э. Цырлин. ФТП, 47 (6) 797 (2013)
  6. M. Tchernycheva, L. Rigutti, G. Jacopin, A. de Luna Bugallo, P. Lavenus, F.H. Julien, M. Timofeeva, A.D. Bouravleuv, G.E. Cirlin, V. Dhaka, H. Lipsanen, L. Largeau. Nanotechnology, 23, 265 402 (2012)
  7. R.R. LaPierre, A.C.E. Chia, S.J. Gibson, C.M. Haapamaki, J. Boulanger, R. Yee, P. Kuyanov, J. Zhang, N. Tajik, N. Jewell, K.M.A. Rahman. Phys. Status Solidi RRL, DOI: 10.1002/pssr. 2013071091
  8. B. Tian, T. Cohen-Karni, Q. Qing, X. Duan, P. Xie, C.M. Lieber. Science, 329, 830 (2010)
  9. M.S. Vitiello, D. Coquillat, L. Viti, D. Ercolani, F. Teppe, A. Pitanti, F. Beltram, L. Sorba, W. Knap, A. Tredicucci. Nano Lett., 12, 96 (2011)
  10. Ю.Б. Самсоненко, Г.Э. Цырлин, А.И. Хребтов, А.Д. Буравлев, Н.К. Поляков, В.П. Улин, В.Г. Дубровский, P. Werner. ФТП, 45 (4), 441 (2011)
  11. A. Casadei, P. Krogstrup, M. Heiss, J.A. Rohr, C. Colombo, T. Ruelle, S. Upadhyay, C.B. S rensen, J. Nyg rd, A. Fontcubertai Morral. Appl. Phys. Lett., 102, 013 117 (2013)
  12. Ch. Bloemers, T. Grap, M.I. Lepsa, J. Moers, St. Trellenkamp, D. Gruetzmacher, H. Lueth, Th. Schapers. Appl. Phys. Lett., 101, 152 106 (2012)
  13. J.P. Grave, D. Liang, S. Jin. Nano Lett., 13, (6), 2704 (2013)
  14. K. Storm, F. Halvardsson, M. Heurlin, D. Lindgren, A. Gustafsson, P.M. Wu, B. Monemar, L. Samuelson. Nature Nanotchn., 7, 718 (2012)
  15. H. Ohno, D. Cheba, F. Matsukura, T. Omiya, E. Abe, T. Dietl, Y. Ohno, K. Ohtani. Nature, 408, 21 (2000)
  16. J. Sadowski, P. Dluzewski, S. Kret, E. Janik, E. Lusakowska, J. Kanski, A, Presz, F. Terki, S. Charar, D. Tang. Nano Lett., 7, 2724 (2007)
  17. A. Rudolph, M. Soda, M. Kiessling, T. Wojtowicz, D. Schuh, W. Wegscheider, J. Zweck, C. Back, E. Reiger. Nano Lett., 9, 3860 (2009)
  18. А.Д. Буравлев, Г.Э. Цырлин, В.В. Романов, Н.Т. Баграев, Е.С. Брилинская, Н.А. Лебедева, С.В. Новиков, Н. Lipsanen, В.Г. Дубровский. ФТП, 46 (2), 188 (2012)
  19. А.Д. Буравлев, Г.О. Абдрашитов, Г.Э. Цырлин. ПЖТФ, 38 (17), 78 (2012)
  20. A. Bouravleuv, G. Cirlin, V. Sapega, P. Werner, A. Savin, H. Lipsanen. J. Appl. Phys., 113, 144 303 (2013)
  21. P. Nemec, V. Novak, N. Tesarova, E. Rozkotova, H. Reichlova, D. Butkovicova, F. Trojanek, K. Olejnik, P. Maly, R.P. Campion, B.L. Gallagher, J. Sinova, T. Jungwirth. Nature Commun., 4, 1422 (2013)
  22. A. Kovacs, J. Sadowski, T. Kasama, M. Duchamp, R.E. Dunin-Borkowski. J. Phys. D: Appl. Phys., 46, 145 309 (2013)
  23. Z. Zhang, K. Yao, Y. Liu, C. Jin, X. Liang, Q. Chen, L.-M. Peng. Adv. Funct. Mater., 17, 2478 (2007)
  24. S.H. Lee, Y.S. Yu, H.J. Kim, S.W. Hwang, D. Ahn. J. Korean Phys. Soc., 51, S298 (2007)
  25. S.N. Mohammad. J. Appl. Phys., 108, 034 311 (2010)
  26. X. He, J. Scharer, J. Booske, S. Sengele. J. Vac. Sci. Technol. B, 26 (2), 770 (2008)
  27. F.A. Padovani, R. Stratton. Sol. St. Electron., 9, 695 (1966)
  28. Landolt-Bornstein, New Series, Group IV elements, IV-IV and III-V compounds, Group III/17A-22A-41A1b, Pt. b Electronic, Transport, Optical and Other Properties, ed. by O. Madelung (Springer Materials, Berlin, 2002)
  29. Y. Umemoto, W.J. Schaff, H. Park, L.F. Eastman. Appl. Phys. Lett., 62, 1964 (1993)
  30. F. Glas, B. Daudin. Phys. Rev. B, 86, 174 112 (2012)
  31. W. Chen, V.G. Dubrovskii, X. Liu, T. Xu, R. Larde, J.P. Nys, B. Grandidier, D. Stievenard, G. Patriarche, P. Pareige. J. Appl. Phys., 111, 094 909 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme