ФТП, 2010, том 44, выпуск 6

Другие выпуски	Другие журналы	Поиск


Электронные и оптические свойства полупроводников
Камилов И.К., Степуренко А.А., Гумметов А.Э. Особенности формирования и эволюции продольного автосолитона в $p$ -InSb в продольном магнитном поле	721
Косяченко Л.А., Маслянчук О.Л., Мельничук С.В., Склярчук В.М., Склярчук О.В., Аоки Т. Особенности механизма электропроводности полуизолирующих монокристаллов CdTe	729
Вейнгер А.И., Забродский А.Г., Тиснек Т.В., Голощапов С.И. Спин-пайерлсовский переход в хаотической примесной подрешетке полупроводника	735
Прокофьева Л.В., Равич Ю.И., Пшенай-Северин Д.А., Константинов П.П., Шабалдин А.А. Легирование полупроводников A^IVB^VI и энергетический спектр дырок с учетом резонансных состояний	742
Алиев Ф.Ф., Джафаров М.Б., Эминова В.И. Влияние дефектов на электрические свойства Ag₂S при фазовом переходе	749
Погребицкий К.Ю., Шарков М.Д. Инновации в спектрометрии электронной эмиссии под воздействием рентгеновского излучения (XIEES)	753
Житинская М.К., Немов С.А., Мухтарова А.А., Шелимова Л.Е., Свечникова Т.Е., Константинов П.П. Влияние примесей на транспортные свойства слоистого анизотропного соединения PbBi₄Te₇. Эксперимент и расчеты	759
Алиев С.А., Алиев Ф.Ф., Гасанов З.С., Абдуллаев С.М., Селим-заде Р.И. Увлечение электронов фононами в Ag₂S	764

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Торхов Н.А. Природа прямых и обратных токов насыщения в контактах металл $-$ полупроводник с барьером Шоттки	767
Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Витусевич С.А., Иванов В.Н., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Лебедев А.А., Миленин В.В., Свешников Ю.Н., Шеремет В.Н. Влияние микроволновой обработки на механизмы протекания тока в омических контактах Au $-$ TiB_x-Al $-$ Ti $-n$ ⁺-n-n⁺-GaN $-$ Al₂O₃	775
Крутоголов Ю.К. Механизм компенсации донорной примеси в приповерхностном слое GaP при термообработке в парах фосфора	782

Низкоразмерные системы
Соболев М.М., Васильев А.П., Неведомский В.Н. Состояния Ваннье $-$ Штарка в сверхрешетке квантовых точек InAs/GaAs	790

Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты
Белогорохов И.А., Мартышов М.Н., Мамичев Д.А., Дронов М.А., Пушкарев В.Е., Рябчиков Ю.В., Форш П.А., Томилова Л.Г., Хохлов Д.Р. Вибронные свойства органических полупроводников на основе фталоцианиновых комплексов с несимметричным распределением электронной плотности	795

Физика полупроводниковых приборов
Копач В.Р., Кириченко М.В., Хрипунов Г.С., Зайцев Р.В. Применение рефлекторов из ITO/Al для повышения эффективности монокристаллических кремниевых фотопреобразователей	801
Калинина Е.В., Коссов В.Г., Яфаев Р.Р., Стрельчук А.М., Виолина Г.Н. Высокотемпературный радиационно стойкий выпрямитель на основе $p$ ⁺-n-переходов в $4H$ -SiC, ионно-легированном алюминием	807
Петрунов А.Н., Подоскин А.А., Шашкин И.С., Слипченко С.О., Пихтин Н.А., Налет Т.А., Фетисова Н.В., Вавилова Л.С., Лютецкий А.В., Алексеев П.А., Титков А.Н., Тарасов И.С. Импульсные полупроводниковые лазеры с повышенной оптической прочностью выходных зеркал резонатора	817
Бочкарева Н.И., Вороненков В.В., Горбунов Р.И., Зубрилов А.С., Леликов Ю.С., Латышев Ф.Е., Ребане Ю.Т., Цюк А.И., Шретер Ю.Г. Механизм падения эффективности GaN-светодиодов с ростом тока	822
Мериуц А.В., Хрипунов Г.С., Шелест Т.Н., Дейнеко Н.В. Особенности световой вольт-амперной характеристики двусторонне чувствительных солнечных элементов на основе тонких базовых слоев CdTe	829
Винокуров Д.А., Ладугин М.А., Лютецкий А.В., Мармалюк А.А., Петрунов А.Н., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Станкевич А.Л., Фетисова Н.В., Шашкин И.С., Аверкиев Н.С., Тарасов И.С. Двухполосная генерация в эпитаксиально интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазерах	833
Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Усов С.О., Николаев А.Е., Крыжановская Н.В., Синицын М.А., Сизов В.С., Закгейм А.Л., Мизеров М.Н. Монолитный белый светодиод с активной областью на основе квантовых ям InGaN, разделенных короткопериодными InGaN/GaN-сверхрешетками	837

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Гусейнов М.К., Курбанов М.К., Билалов Б.А., Сафаралиев Г.К. Магнетронное осаждение тонких пленок твердого раствора (SiC)_1-x(AlN)_x	841
Семенов А.В., Лопин А.В., Пузиков В.М., Баумер В.Н., Дмитрук И.Н. Получение гетероструктур на основе нанокристаллических слоев политипов карбида кремния	845
Абдуллаев Н.М., Мехтиева С.И., Меммедов Н.Р., Рамазанов М.А., Керимова А.М. Исследование влияния отжига на структуру пленок Bi₂Te₃-Bi₂Se₃	853
Крыжановская Н.В., Лундин В.В., Николаев А.Е., Цацульников А.Ф., Сахаров А.В., Павлов М.М., Черкашин Н.А., Hytch M.J., Вальковский Г.А., Яговкина М.А., Усов С.О. Исследования оптических и структурных свойств короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN для активной области светоизлучающих диодов	857