ФТП, 2010, том 44, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Молекулярно-пучковая эпитаксия термодинамически метастабильных твердых растворов GaInAsSb
для фотодетекторов среднего ИК-диапазона

А.Н.Семенов\kern1pt, Я.В.Терентьев, Б.Я.Мельцер, В.А.Соловьев, Т.В.Попова, А.В.Нащекин,
И.А.Андреев, Е.В.Куницына, А.А.Усикова, Ю.П.Яковлев, С.В.Иванов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 17 сентября 2009 г. Принята к печати 29 сентября 2009 г.)

Изучены особенности роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов GaInAsSb с содержанием индия до 25 мол%, согласованных по периоду кристаллической решетки с GaSb. Данные растворы являются перспективными для использования в качестве активной области фотодетекторных структур среднего инфракрасного диапазона. Представлены результаты исследования этих твердых растворов методами двухкристальной рентгеновской дифрактометрии, растровой электронной микросокпии и фотолюминесценции. Показано, что твердые растворы GaxIn1-xAsySb1-y с x<0.8, выращеные при температуре 500oC, демонстрируют деградацию структурных и оптических свойств по мере увеличения толщины слоя. В слоях с толщинами выше критической наблюдается спинодальный распад в полном соответствии с термодинамическими расчетами положения границ областей несмешиваемости. Обсуждаются возможности оптимизации молекулярно-пучкового роста твердых растворов GaxIn1-xAsySb1-y (x<0.75) с высоким оптическим и структурным совершенством, а также характеристики фотодетекторов на основе гетероструктур GaInAsSb/AlGaAsSb.

 PDF версия (1.3Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster