ФТП, 2010, том 44, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности подпорогового дефектообразования в монокристаллах CdS и CdS : Cu при рентгеновском облучении

Г.Л.Мирончук , Г.Е.Давидюк, В.В.Божко, В.Кажукаускас *,

Волынский национальный университет им. Леси Украинки,
43025 Луцк, Украина
* Вильнюсский университет,
LT-10222 Вильнюс, Литва

(Получена 7 июля 2009 г. Принята к печати 29 сентября 2009 г.)

Представлены экспериментальные результаты исследования влияния электронной радиации с энергией электронов 230 кэВ, рентгеновских квантов в энергиями 8.06, 17.5 кэВ и закалки образцов на образование и перестройку центров медленной рекомбинации неравновесных носителей заряда (так называемых r-центров) в специально не легированных и легированных медью (NCu~1018 см-3) монокристаллах CdS. Показано, что за r-центры ответственны дефекты в кадмиевой подрешетке кристалла, а именно вакансии VCd и близкие к ним по параметрам дефекты CuCd. При рентгеновском облучении как нелегированных, так и легированных Cu монокристаллов CdS имеет место подпороговое дефектообразование вакансий кадмия и CuCd в местах искаженных и ослабленных межатомных связей --- \glqq слабых местах\grqq возле крупных структурных повреждений решетки технологического или иного происхождения. Начиная с температуры закалки 170oC заметное влияние на спектр центров медленной рекомбинации оказывают термообразованные VCu и вторичные дефекты CuCd. При температурах закалки больших 250oC заметный вклад в спектр оптического гашения фотопроводимости вносят термовведенные свободные (вдали от структурных повреждений) r-центры --- VCd и CuCd.

 PDF версия (151Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster