ФТП, 2010, том 44, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Увеличение квантовой эффективности флип-чип AlGaInN-светодиодов путем реактивного ионного
травления внешней стороны подложек SiC

И.П.Смирнова\kern1pt+, Л.К.Марков\kern1pt+, Е.М.Аракчеева\kern1pt+, А.С.Павлюченко\kern1pt+*,
Д.А.Закгейм\kern1pt+, М.М.Кулагина\kern1pt+

+ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* ЗАО \glqq Эпицентр\grqq,
194156 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 23 сентября 2009 г. Принята к печати 29 сентября 2009 г.)

Работа посвящена развитию метода создания рассеивающего свет микрорельефа на внешней стороне подложек SiC для уменьшения потерь при выводе света из светодиодного кристалла, связанных с эффектом полного внутреннего отражения в структурах AlGaIn/GaN. Предложено использовать тонкие слои фоторезиста в качестве случайных масок для процесса реактивного ионного травления подложки из карбида кремния. Оптимизацией режимов травления на поверхности подложки SiC получен микрорельеф с требуемыми параметрами, что привело к увеличению внешней квантовой эффективности светоизлучающих кристаллов более чем на 25%.

 PDF версия (616Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster