ФТП, 2010, том 44, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Об \glqq избыточных\grqq токах утечки в высоковольтных диодах Шоттки на основе 4H-SiC

П.А.Иванов, И.В.Грехов, А.С.Потапов, Т.П.Самсонова,
Н.Д.Ильинская, О.И.Коньков, О.Ю.Серебренникова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 21 сентября 2009 г. Принята к печати 29 сентября 2009 г.)

Изготовлены высоковольтные диоды Шоттки на основе 4H-SiC с никелевым барьером и охранной системой в виде \glqq плавающих\grqq планарных p-n-переходов. Анализ вольт-амперных характеристик, измеренных в широком диапазоне температур, показал, что ток в прямом направлении обусловлен термоэлектронной эмиссией, однако в обратном направлении ток \glqq избыточен\grqq. Выдвигается предположение о том, что обратный ток протекает локально, в местах выхода на границу Ni-SiC проникающих дислокаций. Вид обратных вольт-амперных характеристик позволил заключить, что электронный транспорт происходит по механизму монополярной инжекции (ток, ограниченный пространственным зарядом) с участием ловушек захвата.

 PDF версия (162Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster