ФТП, 2010, том 44, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Остаточная фотопроводимость в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами

В.И.Гавриленко, А.В.Иконников, С.С.Криштопенко, А.А.Ластовкин,
К.В.Маремьянин, Ю.Г.Садофьев, К.Е.Спирин

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия

(Получена 20 августа 2009 г. Принята к печати 30 сентября 2009 г.)

Исследованы эффекты остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с покрывающим слоем GaSb с двумерным электронным газом в двойных квантовых ямах InAs при T=4.2 K. Из фурье-анализа осцилляций Шубникова--де-Гааза определены концентрации электронов в каждой из квантовых ям при различных длинах волн подсветки и прямым образом продемонстрирована сильная несимметричность структуры, вызванная встроенным электрическим полем. Выполнены самосогласованные расчеты энергетического профиля двойной квантовой ямы и определены значения концентраций ионизованных доноров с обеих сторон от ям, что позволило конкретизировать предложенный ранее механизм биполярной остаточной фотопроводимости в таких структурах.

 PDF версия (318Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster