ФТП, 2010, том 44, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Вольт-амперные характеристики легированных
кремнием нитевидных нанокристаллов GaAs с защитным
покрытием AlGaAs, заращенных нелегированным слоем GaAs

П.А.Дементьев\kern1pt$, М.С.Дунаевский\kern1pt$, Ю.Б.Самсоненко\kern1pt$ * , Г.Э.Цырлин\kern1pt$ * , А.Н.Титков\kern1pt$

$ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Научно-образовательный комплекс \glqq Санкт-Петербургский физико-технологический
научно-образовательный центр Российской академии наук\grqq,
195220 Санкт-Петербург, Россия
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук,
190103 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 21 сентября 2009 г. Принята к печати 29 сентября 2009 г.)

Предлагается метод измерения продольных вольт-амперных характеристик полупроводниковых нитевидных нанокристаллов, сохраняющих контакт с поверхностью роста. Метод основан на создании устойчивого проводящего контакта вершины индивидуального нитевидного нанокристалла с зондом атомно-силового микроскопа. Показано, что по мере увеличения силы прижима зонда к вершине нитевидного нанокристалла происходит прокалывание покрывающего ее естественного окисла и достигается прямой контакт зонда с материалом нанокристалла. Для избежания изгиба с последующим обламыванием нитевидных нанокристаллов необходимо их фиксировать в пространстве. В настоящей работе фиксация нитевидных нанокристаллов GaAs осуществлялась за счет их частичного заращивания слоем GaAs. Для обособления нанокристаллов в заращивающей матрице они покрывались нанометровым слоем AlGaAs. В работе изучалось легирование кремнием нитевидных нанокристаллов GaAs. Вид полученных вольт-амперных характеристик показывает, что введение кремния приводит к p-типу проводимости нанокристаллов, в отличие от n-типа объемных кристаллов GaAs, получаемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Наблюдаемое отличие объясняется присутствием в процессе пар--жидкость--кристалл при получении нитевидных нанокристаллов конечной фазы жидкофазной эпитаксии, для которой характерно формирование p-типа проводимости при выращивании объемных кристаллов GaAs(Si).

 PDF версия (1.3Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster