ФТП, 2010, том 44, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности проводимости gamma-облученных кристаллов TlGaTe2 с наноцепочечной структурой

Р.М.Сардарлы, О.А.Самедов, А.П.Абдуллаев\kern1pt*, Э.К.Гусейнов, Ф.Т.Салманов, Г.Р.Сафарова

Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана,
AZ1141 Баку, Азербайджан
* Институт физики Национальной академии наук Азербайджана,
AZ1143 Баку, Азербайджан

(Получена 12 октября 2009 г. Принята к печати 20 октября 2009 г.)

Изучены температурные зависимости электропроводности sigma(T) и вольт-амперные характеристики одномерных монокристаллов TlGaTe2, подвергнутных различным дозам gamma-облучения, в обеих геометриях эксперимента --- по наноцепочкам, параллельным тетрагональной оси кристалла (sigma||) и перпендикулярно им (sigma normal ). Показано, что зависимость sigma(T), измеренная в омической области вольт-амперной характеристики, имеет прыжковый характер и описывается в приближении Мотта. Рассчитаны значения плотности локализованных состояний NF, энергии активации Ea, длины прыжков R, разность между энергиями состояний Delta E вблизи уровня Ферми и концентрации глубоких ловушек Nt. Исследованы также вольт-амперные характеристики области более резкого роста тока. Показано, что эта область вольт-амперных характеристик описывается в рамках термополевого эффекта Пула--Френкеля. Определены значения концентрации ионизованных центров Nf, длина свободного пробега lambda, значения коэффициента Френкеля beta, форма потенциальной ямы в исходных и облученных (250 Мрад) кристаллах TlGaTe2. Показано, что анизотропия проводимости изменяется при радиационном воздействии, приводящем к трансляционной упорядоченности наноцепочек.

 PDF версия (204Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster