| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Оптические и диэлектрические характеристики окисла редкоземельного металла LuO
С.В.Ордин, А.И.Шелых
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
(Получена 27 августа 2009 г. Принята к печати 8 сентября 2009 г.)
| Исследованы характеристики окисла LuO и их изменения, вызванные дефектностью состава. Дефектами являются анионные вакансии, которые возникают при частичном восстановлении окисла. Они проявляют особенности, характерные для квантовых объектов, и существенно влияют на спектр оптического пропускания, характер электропроводности (изолятор--полупроводник) и на порядок величины диэлектрической проницаемости (). Рассмотрены особенности структуры вакансий в окислах и исследовано их влияние на поляризацию, электропроводность и решеточные колебания. Исследования проводились в диапазонах температур K, длин волн мкм, частот тока Гц. Интерес в микроэлектронике к окислам редкоземельных металлов вызван их большей в несколько раз по сравнению с SiO диэлектрической проницаемостью и тем самым перспективностью замены этими окислами SiO. |
| PDF версия (234Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2010, Коллектив авторов Разработано... webmaster |