ФТП, 2010, том 44, выпуск 5ФТП, 2010, том 44, выпуск 5| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск |
|---|
| Обзоры | |
| Стафеев В.И. Начальные этапы становления полупроводниковой электроники в СССР (К 60-летию открытия транзистора) | 577 |
|---|---|
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Ордин С.В., Шелых А.И. Оптические и диэлектрические характеристики окисла редкоземельного металла LuO | 584 |
| Майоров В.А., Яфясов А.М., Божевольнов В.Б., Раданцев В.Ф. Электрофизические и морфологические свойства пленок CdTe, синтезированных методом молекулярного наслаивания | 590 |
| Дегода В.Я., Софиенко А.А. Особенности люминесценции и электропроводимости селенида цинка при фото- и рентгеновском возбуждении | 594 |
| Новиков Г.Ф., Рабенок Е.В., Гапанович М.В. Роль подбарьерных переходов в процессах гибели избыточных носителей тока в полупроводниках AB | 600 |
| Боднарь И.В. Оптические свойства твердых растворов (CuInSe)(2MnSe) | 606 |
| Сардарлы Р.М., Самедов О.А., Абдуллаев А.П., Гусейнов Э.К., Салманов Ф.Т., Сафарова Г.Р. Особенности проводимости -облученных кристаллов TlGaTe с наноцепочечной структурой | 610 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Торхов Н.А. Влияние периферии контактов металл--полупроводник с барьером Шоттки на их статические вольт-амперные характеристики | 615 |
| Олимов Л.О. Адсорбция щелочных металлов и их влияние на электронные свойства межзеренных границ в объеме поликристаллического кремния | 628 |
| Атабаев И.Г., Матчанов Н.А., Хажиев М.У., Пак В., Салиев Т.М. Влияние различных химических обработок поверхности на высоту барьеров Al-SiGe, Au-SiGe | 631 |
| Низкоразмерные системы | |
| Дементьев П.А., Дунаевский М.С., Самсоненко Ю.Б., Цырлин Г.Э., Титков А.Н. Вольт-амперные характеристики легированных кремнием нитевидных нанокристаллов GaAs с защитным покрытием AlGaAs, заращенных нелегированным слоем GaAs | 636 |
| Гавриленко В.И., Иконников А.В., Криштопенко С.С., Ластовкин А.А., Маремьянин К.В., Садофьев Ю.Г., Спирин К.Е. Остаточная фотопроводимость в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами | 642 |
| Цмоць В.М., Литовченко П.Г., Павловская Н.Т., Павловский Ю.В., Островский И.П. Исследование и моделирование магнитной восприимчивости нитевидных кристаллов Si и SiGe | 649 |
| Грузинцев А.Н., Редькин А.Н., Бартхоу К., Barthou C. Зависимость порога стимулированной люминесценции нанокристаллов ZnO от их геометрической формы | 654 |
| Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты | |
| Александрова Е.Л., Иванов А.Г., Геллер Н.М., Шаманин В.В. Структурные закономерности механизма фотогенерации свободных носителей заряда в рядах элементосодержащих полидисалицилиденазометинов | 660 |
| Шевченко О.Ю., Горячев Д.Н., Беляков Л.В., Сресели О.М. Оптические свойства нанопористого кремния, пассивированного железом | 669 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Каримов А.В., Едгорова Д.М. Некоторые особенности получения фототока в одно- и многобарьерных фотодиодных структурах | 674 |
| Иванов П.А., Грехов И.В., Потапов А.С., Самсонова Т.П., Ильинская Н.Д., Коньков О.И., Серебренникова О.Ю. Об \glqq избыточных\grqq токах утечки в высоковольтных диодах Шоттки на основе -SiC | 680 |
| Смирнова И.П., Марков Л.К., Аракчеева Е.М., Павлюченко А.С., Закгейм Д.А., Кулагина М.М. Увеличение квантовой эффективности флип-чип AlGaInN-светодиодов путем реактивного ионного травления внешней стороны подложек SiC | 684 |
| Слипченко С.О., Шашкин И.С., Вавилова Л.С., Винокуров Д.А., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Подоскин А.А., Станкевич А.Л., Фетисова Н.В., Тарасов И.С. Температурная делокализация носителей заряда в полупроводниковых лазерах | 688 |
| Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур | |
| Мирончук Г.Л., Давидюк Г.Е., Божко В.В., Кажукаускас В. Особенности подпорогового дефектообразования в монокристаллах CdS и CdS : Cu при рентгеновском облучении | 694 |
| Семенов А.Н., Терентьев Я.В., Мельцер Б.Я., Соловьев В.А., Попова Т.В., Нащекин А.В., Андреев И.А., Куницына Е.В., Усикова А.А., Яковлев Ю.П., Иванов С.В. Молекулярно-пучковая эпитаксия термодинамически метастабильных твердых растворов GaInAsSb для фотодетекторов среднего ИК-диапазона | 699 |
| Емцев В.В., Иванов А.М., Козловский В.В., Лебедев А.А., Оганесян Г.А., Строкан Н.Б. Сравнительное изучение изменения электрических свойств кремния и карбида кремния при облучении протонами | 706 |
| Хомченко В.С., Кушниренко В.И., Папуша В.П., Савин А.К., Литвин О.С. Люминесцентные и структурные свойства пленок ZnOAg | 713 |