ФТП, 2010, том 44, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотолюминесценция в области длин волн 1.5-1.6 мкм
слоев кремния с высокой концентрацией
кристаллических дефектов

А.А.Шкляев\kern1pt +*, А.В.Латышев\kern1pt+*, М.Ичикава\kern1pt\#

+ Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
* Новосибирский государственный университет,
630090 Новосибирск, Россия
\# Quantum-Phase Electronics Center, Department of Applied Physics,
Graduate School of Engineering, The University of Tokyo,
7-3-1 Hongo, Bynkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan

(Получена 25 августа 2009 г. Принята к печати 7 сентября 2009 г.)

Исследована фотолюминесценция слоев наноструктурированного кремния, который излучает в диапазоне длин волн 1.5-1.6 мкм в результате оптических переходов на глубокие уровни центров рекомбинации, созданные кристаллическими дефектами. Показано, что зависимость интенсивности фотолюминесценции от плотности мощности накачки хорошо описывается моделью с глубокими уровнями одного типа. Обнаружен сдвиг пика фотолюминесценции в область коротких волн при увеличении плотности мощности накачки. Сдвиг свидетельствует об изменениях степени заполнения глубоких уровней, которые происходят в условиях переноса носителей между центрами рекомбинации.

 PDF версия (707Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster