ФТП, 2010, том 44, выпуск 3
ФТП, 2010, том 44, выпуск 3
| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Использование кластерных вторичных ионов Ge, Ge для повышения разрешения по глубине при послойном элементном анализе полупроводниковых гетероструктур GeSi/Si методом ВИМС
М.Н.Дроздов, Ю.Н.Дроздов, Д.Н.Лобанов, А.В.Новиков, Д.В.Юрасов
Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
(Получена 15 июля 2009 г. Принята к печати 24 августа 2009 г.)
| Обсуждаются новые возможности повышения разрешения по глубине при послойном элементном анализе полупроводниковых гетероструктур GeSi/Si методом вторично-ионной масс-спектрометрии на установке TOF.SIMS-5. С использованием оптического профилометра Talysurf CCI-2000 для контроля формы и шероховатости дна кратера распыления проведен детальный анализ вкладов артефактов ионного распыления и аппаратурных эффектов в разрешение по глубине. Установлено, что использование ионов Cs для распыления позволяет минимизировать развитие шероховатости при послойном анализе структур GeSi/Si вплоть до глубины мкм. Показано, что использование вторичных кластерных ионов Ge и Ge вместо Ge и Ge позволяет снизить величину переходных областей в регистрируемых профилях. |
| PDF версия (950Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2010, Коллектив авторов Разработано... webmaster |