ФТП, 2010, том 44, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование вольт-амперной характеристики
гетероструктуры n-CdS/p-CdTe в зависимости от температуры

Ш.Н.Усмонов, Ш.А.Мирсагатов, А.Ю.Лейдерман

Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан,
100084 Ташкент, Узбекистан

(Получена 18 мая 2009 г. Принята к печати 30 мая 2009 г.)

Исследованы вольт-амперные характеристики гетероструктуры n-CdS/p-CdTe при различных значениях температуры. Установлено, что прямая ветвь вольт-амперной характеристики таких структур при малых напряжениях (до 0.5 В) описывается экспоненциальной зависимостью, а при больших (до 2.6 В) имеется участок сублинейного роста тока с напряжением. Экспериментальные результаты объясняются на основе теории эффекта инжекционного обеднения. Показано, что произведение подвижности основных носителей на концентрацию глубоких центров растет с ростом температуры.

 PDF версия (648Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster