ФТП, 2010, том 44, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности интерметаллического полупроводника n-ZrNiSn, сильно легированного атомами редкоземельных металлов

В.А.Ромака\kern1pt +,*, D.Fruchart\kern1pt=/=, E.K.Hlil\kern1pt=/=, Р.Е.Гладышевский\kern1pt, D.Gignoux\kern1pt=/=,
В.В.Ромака\kern1pt, Б.С.Кужель\kern1pt, Р.В.Крайовский\kern1pt*

+ Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача
Национальной академии наук Украины,
79060 Львов, Украина
* Национальный университет \glqq Львовская политехника\grqq,
79013 Львов, Украина
=/= Институт Нееля Национального центра научных исследований,
38042 Гренобль, Франция
Львовский Национальный университет им. И. Франко,
79005 Львов, Украина

(Получена 16 июня 2009 г. Принята к печати 30 июня 2009 г.)

Исследованы кристаллическая структура, распределение электронной плотности, энергетические, кинетические и магнитные характеристики интерметаллического полупроводника n-ZrNiSn, сильно легированного атомами редкоземельных металлов (R) в диапазонах температур 1.5-400 K, концентраций редкоземельного металла 9.5·1019-9.5·1021 см-3, магнитных полей H=<15 Тл. Определены области существования твердых растворов Zr1-xRxNiSn, сформулированы критерии растворимости атомов редкоземельных металлов в ZrNiSn и перехода диэлектрик-металл, определена природа \glqq априорного легирования\grqq ZrNiSn донорами как результат перераспределения атомов Zr и Ni в кристаллографических позициях Zr. Установлена корреляция между концентрацией примеси R, амплитудой модуляции зон непрерывных энергий, а также степенью заполнения носителями тока потенциальных ям мелкомасштабных флуктуаций. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского-Эфроса.

 PDF версия (971Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster