ФТП, 2010, том 44, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Высокоэффективные фотоэлементы на основе твердых растворов In0.53Ga0.47As с изовалентным легированием

Л.Б.Карлина , А.С.Власов, М.М.Кулагина, Е.П.Ракова, Н.Х.Тимошина, В.М.Андреев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 22 июня 2009 г. Принята к печати 29 июня 2009 г.)

Влияние изовалентного легирования фосфором на поверхностные и объемные свойства слоев In0.53Ga0.47As (далее InGaAs) оценивалось по изменению спектров фотолюминесценции и спектров пропускания. Установлено, что изовалентное легирование уменьшает скорость безызлучательной рекомбинации в объеме и на поверхности легированных слоев. Использование дополнительного изовалентного легирования позволило улучшить параметры узкозонного солнечного элемента на основе InGaAs, предназначенного для преобразования концентрированного солнечного излучения. Значение максимальной эффективности фотоэлектрического преобразования в спектральном диапазоне 900-1840 нм составило 7.4-7.35% при кратности концентрирования солнечного излучения 500-1000 для спектра AM1.5D Low AOD.

 PDF версия (619Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster