ФТП, 2010, том 44, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Расчет и анализ распределений плотности тока и температуры по площади структуры InGaN/GaN мощных светодиодов

В.А.Сергеев, А.М.Ходаков

Ульяновский филиал института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук,
432011 Ульяновск, Россия

(Получена 18 июня 2008 г. Принята к печати 23 апреля 2009 г.)

Рассмотрена тепловая модель мощного светодиода InGaN/GaN, учитывающая экспоненциальную зависимость плотности тока и плотности мощности, рассеиваемой активной областью гетероструктуры, от температуры. Итерационным методом решена система уравнений, включающая стационарное уравнение теплопроводности с адиабатными условиями второго рода на боковых границах гетероструктуры и уравнения термогенерации, при условии постоянства средней плотности тока по активной области структуры. Найдены зависимости максимального и среднего перегрева по активной области структуры от величины рабочего тока и температуры окружающей среды для двух моделей теплоотвода: полубесконечного и ограниченного.

 PDF версия (574Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster