Получено, что значения дрейфовых подвижностей электронов и дырок в пленках Ge$$₂₀As$$₂₀S$$₆₀ близки: $$mu_e~mu_h~ 2·10^-3 см²В^-1с^-1 при $T=295$ K и $F=5$· 10⁴ В/см.

Показано, что характер зависимости фототока от времени при дрейфе носителей заряда и зависимости дрейфовой подвижности от напряжения позволяют использовать представления об аномальном дисперсионном переносе.

Экспериментальные данные объяснены в модели переноса, контролируемого захватом носителей на локализованные состояния, распределение которых по энергии вблизи краев зоны проводимости и валентной зоны описывается экспоненциальным законом с характеристической энергией $~0.05$ эВ.