ФТП, 2010, том 44, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Формирование полупроводниковых 3D наноструктур на основе ZnSe

С.В.Алышев , А.О.Забежайлов, Р.А.Миронов, В.И.Козловский *, Е.М.Дианов

Научный центр волоконной оптики Российской академии наук,
119333 Москва, Россия
* Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,
119991 Москва, Россия

(Получена 20 мая 2009 г. Принята к печати 29 мая 2009 г.)

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs выращены наноструктуры, содержащие жертвенный слой ZnMgSSe толщиной 10 нм и напряженный бислой ZnSSe/ZnSe толщиной 20 нм. Жертвенный слой был удален селективным травлением, в результате чего были сформированы микротрубки ZnSSe/ZnSe с многослойными стенками.

 PDF версия (929Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster