ФТП, 2010, том 44, выпуск 1
ФТП, 2010, том 44, выпуск 1
| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Динамика фотолюминесценции и рекомбинационные процессы в Sb-содержащих лазерных наноструктурах
Д.А.Фирсов, L.Shterengas, G.Kipshidze, В.Л.Зерова, T.Hosoda,
П.Тхумронгсилапа, Л.Е.Воробьев, G.Belenky
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
Department of Electric and Computer Engineering, State University of New York at Stony Brook,
New York 11794-2350, USA
(Получена 6 мая 2009 г. Принята к печати 14 мая 2009 г.)
|
В структурах с квантовыми ямами на основе твердых растворов InGaAsSb и с барьерами на базе AlGaAsSb и AlInGaAsSb исследована динамика межзонной фотолюминесценции при различных температурах и уровнях возбуждения. Экспериментально определены времена жизни оптически инжектированных носителей заряда в квантовых ямах при разных температурах и уровнях оптического возбуждения. Увеличение скорости рекомбинации в структурах с более глубокими квантовыми ямами InGaAsSb / AlGaAsSb для электронов связывается с проявлением резонансной оже-рекомбинации. Оже-рекомбинация приводит к разогреву электронов и дырок в нижних подзонах размерного квантования. Оценена температура носителей заряда при оже-рекомбинации с использованием уравнения баланса мощности, учитывающего накопление неравновесных оптических фононов. На основе исследованных структур изготовлены лазеры двух типов на длину волны около 3 мкм; показано, что использование пятикомпонентного твердого раствора в качестве материала барьера приводит к улучшению характеристик лазеров.
|
| PDF версия (836Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2010, Коллектив авторов Разработано... webmaster |