ФТП, 2010, том 44, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Моделирование роста нановискеров методом Монте-Карло

А.Г.Настовьяк\kern0.5pt, И.Г.Неизвестный, Н.Л.Шварц, З.Ш.Яновицкая

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 13 октября 2008 г. Принята к печати 19 июня 2009 г.)

С помощью моделирования методом Монте-Карло проведено исследование роста кремниевых нановискеров на поверхности Si(111), активированной золотом. Получены зависимости скорости роста вискеров от температуры, скорости осаждения и диаметра капли катализатора, исследована морфология растущего нитевидного кристалла. В модельной системе наряду с ростом нановискеров найден ряд эффектов, наблюдаемых экспериментально: уход капли с вершины кристалла, фасетирование его боковой поверхности, ветвление. Найдено, что при определенных условиях смачивания материала вискера веществом катализатора возможно формирование полых нановискеров.

 PDF версия (1.2Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster