ФТП, 2009, том 43, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Мощные диодные лазеры (lambda=1.7-1.8 мкм) на основе асимметричных квантово-размерных гетероструктур
раздельного ограничения InGaAsP/InP

А.В.Лютецкий, Н.А.Пихтин\kern1pt, Н.В.Фетисова, А.Ю.Лешко, С.О.Слипченко, З.Н.Соколова,
Ю.А.Рябоштан\kern1pt*, А.А.Мармалюк\kern1pt*, И.С.Тарасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* ФГУП НИИ \glqq Полюс\grqq им. М.Ф. Стельмаха,
117342 Москва, Россия

(Получена 7 мая 2009 г. Принята к печати 15 мая 2009 г.)

Экспериментально показаны преимущества концепции мощных полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур диапазона длин волн излучения 1700-1800 нм, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии в системе твердых растворов InGaAsP/InP. Установлено, что применение расширенного волновода позволяет снизить внутренние оптические потери до 2 см-1 в квантово-размерных асимметричных двойных гетероструктурах раздельного ограничения InGaAsP/InP, излучающих на длине волны 1.76 мкм. На основе разработанных гетероструктур созданы многомодовые лазеры, излучающие оптическую мощность 2.5 Вт в апертуре 100 мкм при комнатной температуре в непрерывном режиме. Показано, что применение сильно напряженных квантово-размерных слоев InGaAsP в качестве активной области позволяет получать значения характеристической температуры T0=50-60 K.

PACS: 42.55.Px

 PDF версия (509Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster