ФТП, 2009, том 43, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Взаимодействие электронов с локализованными в квантовой яме оптическими фононами

Ю.Пожела\kern1pt, К.Пожела, В.Юцене, А.Сужеделис, А.С.Школьник\kern1pt*+, С.С.Михрин\kern1pt+, В.С.Михрин\kern1pt+

Институт физики полупроводников,
01108 Вильнюс, Литва
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
+ Иннолюм,
44263 Дортмунд, Германия

(Получена 18 мая 2009 г. Принята к печати 25 мая 2009 г.)

Рассматривается скорость рассеяния электронов в квантовой яме на локализованных полярных оптических и интерфейсных фононах. Определена зависимость силы электрон-фононного взаимодействия от частоты оптических фононов в материалах гетероструктуры, образующих электронную и фононные квантовые ямы. Показано, что путем изменения состава полупроводников, образующих квантовую яму и ее барьеры, можно изменять скорости рассеяния электронов на оптических фононах в несколько раз. Вычислены скорости рассеяния электронов на полярных оптических фононах в зависимости от долей Inx и Iny в составе полупроводников, образующих квантовые ямы InxAl1-xAs/InyGa1-yAs. Экспериментально определены зависимости подвижности и дрейфовой скорости насыщения электронов в сильных электрических полях в квантовых ямах InyGa1-yAs от состава введенных в квантовые ямы InxAl1-xAs-барьеров. Подвижность электронов растет, а дрейфовая скорость насыщения уменьшается с увеличением доли Inx в составе барьеров.

PACS: 72.10.Di, 73.21.Fg, 73.63.Hs, 63.20.kd, 63.22.-m

 PDF версия (591Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster