ФТП, 2009, том 43, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Тензор Нернста-Эттингсгаузена в монокристалле Sb2Te3

С.А.Немов\kern1pt, Г.Л.Тарантасов, В.И.Прошин, М.К.Житинская, Л.Д.Иванова\kern1pt*, Ю.В.Гранаткина\kern1pt*

Санкт-Петербургский государcтвенный политехничеcкий университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
* Институт металлургии и материаловедения Российской академии наук,
119991 Москва, Россия

(Получена 18 мая 2009 г. Принята к печати 25 мая 2009 г.)

На одном монокристалле Sb2Te3 в диапазоне температур 85-450 K измерены температурные зависимости всех трех независимых компонент тензора Нернста-Эттингсгаузена (Qikl), все три компоненты отрицательны. Наряду с эффектом Нернста-Эттингсгаузена была исследована также анизотропия коэффициентов Холла (Rikl), Зеебека (Sij) и электропроводности (sigmaii). Выполненный анализ экспериментальных данных по эффектам Нернста-Эттингсгаузена и Зеебека свидетельствует о смешанном механизме рассеяния с участием акустических фононов и ионов примеси, причем относительные вклады этих механизмов изменяются с температурой. В приближении тензора времени релаксации определены значения эффективного параметра рассеяния (r). Полученные значения свидетельствуют о доминирующем рассеянии на акустических фононах в плоскости скола и существенном вкладе в рассеяние заряженных ионов вдоль тригональной оси c3. Показано, что основные особенности экспериментальных данных по эффекту Нернста-Эттингсгаузена можно объяснить в рамках двухзонной модели строения валентной зоны с участием в явлениях переноса нескольких групп дырок.

PACS: 72.20.Pa, 72.80.Jc

 PDF версия (539Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster