ФТП, 2009, том 43, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Эпитаксия ZnSe на GaAs при использовании в качестве источника соединения ZnSe

С.П.Супрун , В.Н.Шерстякова, Е.В.Федосенко

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 1 апреля 2009 г. Принята к печати 10 апреля 2009 г.)

Исследованы особенности молекулярно-лучевой эпитаксии субмикронных слоев ZnSe на подложках GaAs (001) при использовании в качестве источника соединения ZnSe в зависимости от исходного состояния поверхности подложки и ее температуры. Показано, что после формирования гетерограницы \glqq избыточный\grqq Ga остается на поверхности растущей пленки, определяя при температуре выше 250oC скорость ее роста. Согласно измеренным спектрам низкотемпературной люминесценции, 240oC является оптимальной температурой получения слоев данным способом.

PACS: 81.10.Aj, 81.10.Dn, 81.15.Hi, 73.61.Ga, 85.40.Ry

 PDF версия (690Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster