ФТП, 2009, том 43, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Отражающий p-контакт на основе тонких пленок ITO для флип-чип светодиодов AlGaInN

Л.К.Марков , И.П.Смирнова, А.С.Павлюченко, Е.М.Аракчеева, М.М.Кулагина

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 31 марта 2009 г. Принята к печати 6 апреля 2009 г.)

Методом электронно-лучевого напыления тонких пленок оксида индия и олова (ITO) был получен отражающий контакт к слою p-GaN, используемый при создании синих флип-чип светодиодов. Высокий коэффициент отражения контакта, превосходящий коэффициент отражения контакта на основе Ni/Ag, обеспечивает прирост внешней квантовой эффективности светоизлучающих кристаллов на 15-20%. Прямые падения напряжения для кристаллов с контактом ITO (5 нм)/Ag(220 нм) сравнимы с аналогичными величинами для кристаллов с контактом Ni(1.5 нм)/Ag(220 нм). Удельное сопротивление контакта со слоем ITO составляет 3.7· 10-3 Ом·см2. Показано, что для полученных данным методом пленок ITO оптимальные толщины, обеспечивающие наилучшие электрические и оптические характеристики кристаллов, лежат в диапазоне 2.5-5.0 нм.

PACS: 81.16.-z

 PDF версия (588Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster