ФТП, 2009, том 43, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Структура и оптические свойства сформированных с применением низкочастотного плазмохимического осаждения пленок SiHx : H, содержащих нанокластеры кремния

Т.Т.Корчагина *,, Д.В.Марин *,+, В.А.Володин *,+,, А.А.Попов , M.Vergnat =/=

* Институт физики полупроводников им. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
+ Новосибирский государственный университет,
630090 Новосибирск, Россия
Ярославский филиал Физико-технологического института Российской академии наук,
150007 Ярославль, Россия
=/= Laboratoire de Physique des Materiaux (LPM), Nancy-Universite, CNRS,
54506 Vand\oe uvre l\` es Nancy, France

(Получена 26 марта 2009 г. Принята к печати 6 апреля 2009 г.)

Пленки SiNx : H разной стехиометрии были получены с применением низкочастотного плазмохимического осаждения при температурах 100 и 380oC. Варьирование стехиометрии достигалось изменением соотношения потоков аммиака и моносилана от 0.5 до 5. Пленки были исследованы с применением эллипсометрии, спектроскопии комбинационного рассеяния света, ИК-поглощения и фотолюминесценции. В пленках SiNx:H (x<4/3) были обнаружены кластеры аморфного кремния. Согласно оценкам, лишь небольшая часть избыточного кремния собирается в кластеры, а повышение температуры подложки стимулирует образование кластеров. При увеличении доли избыточного кремния в пленках наблюдается сдвиг максимума фотолюминесценции в длинноволновую область.

PACS: 63.22.+m, 78.30.-j, 81.05.Gc

 PDF версия (698Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster