ФТП, 2009, том 43, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Выращивание монокристаллов FeIn2S4 и создание фоточувствительных структур на их основе

И.В.Боднарь, С.А.Павлюковец, В.Ю.Рудь\kern1pt*, Ю.В.Рудь\kern1pt+

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники,
220013 Минск, Белоруссия
* Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
+ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 19 марта 2009 г. Принята к печати 27 марта 2009 г.)

Методом направленной кристаллизации близкого к стехиометрии расплава соединения впервые выращены объемные монокристаллы FeIn2S4. Созданы первые фоточувствительные структуры In(Al)/FeIn2S4. На указанных кристаллах получены первые спектры фоточувстительности новых структур при T=300 K. На основании анализа спектров фоточувствительности установлено, что краевое поглощение FeIn2S4 формируется непрямыми и прямыми межзонными переходами, а также оценены соответствующие им значения ширины запрещенной зоны. Сделан вывод о возможностях применения полученных структур в широкополосных фотопреобразователях.

PACS: 72.40.+w, 85.60.Gz, 81.05.Hd

 PDF версия (532Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster