ФТП, 2009, том 43, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Изменение спектра электронных состояний в поликристаллическом p-CdTe в результате отжига в Cd и естественного старения

С.А.Колосов , Ю.В.Клевков, А.Ю.Клоков, В.С.Кривобок , А.И.Шарков

Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,
119991 Москва, Россия

(Получена 19 марта 2009 г. Принята к печати 26 марта 2009 г.)

Исследованы электрические свойства, стационарная фотопроводимость и кинетика фотопроводимости образцов поликристаллического p-CdTe: исходного, полученного методом низкотемпературного синтеза из глубоко очищенных компонентов; отожженого в парах Cd и состаренного при комнатной температуре. Показано, что электрические свойства исходного p-CdTe определяются сложным дефектом с энергией Ev+0.16 эВ, который трансформируется в уровень Ev+0.25 эВ при отжиге в Cd и старении образцов. Обнаружены также глубокие центры Ev+0.6 эВ и Ev+0.86 эВ, определяющие процессы затухания фототока.

PACS: 71.55.Gs, 72.40.+w, 81.40.Rs

 PDF версия (609Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster