ФТП, 2009, том 43, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотолюминесценция наночастиц CdSe в пористом GaP

Ю.Ю.Бачериков\kern1pt, О.Б.Охрименко, С.В.Оптасюк, Ю.И.Яценко\kern1pt*,
В.В.Кидалов\kern1pt*, Е.В.Коломинская\kern1pt*, Ю.Ф.Ваксман\kern1pt+

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
01001 Киев, Украина
* Бердянский государственный педагогический университет,
71100 Бердянск, Украина
+ Одесский национальный университет им. И.И. Мечникова,
65022 Одесса, Украина

(Получена 4 марта 2009 г. Принята к печати 31 марта 2009 г.)

Исследованы свойства фотолюминесценции наноструктурированных частицами CdSe (d=2.8 нм) пленок пористого GaP. Показано, что осаждение наночастиц CdSe на пленки пористого GaP приводит к сдвигу спектра фотолюминесценции наночастиц, покрытых поверхностно активным веществом, в коротковолновую область. Установлено, что нарушение целостности оболочки наночастиц CdSe из поверхностно активного вещества приводит к образованию, как минимум, двух фракций наночастиц с различными размерами. Данным фракциям соответствуют хорошо разрешенные полосы фотолюминесценции с максимумами 508 и 560 нм.

PACS: 81.40.Tv, 81.05.Rm, 78.55.Mb, 81.16Rf

 PDF версия (577Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster