ФТП, 2009, том 43, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Межфазные взаимодействия и механизм токопереноса в омических контактах Au-TiBx-AuGe-n-GaP

А.Е.Беляев, Н.С.Болтовец\kern1pt*, В.Н.Иванов\kern1pt*, А.Б.Камалов, Л.М.Капитанчук\kern1pt+, В.П.Кладько,
Р.В.Конакова\kern1pt, Я.Я.Кудрик, В.В.Миленин, М.У.Насыров, П.В.Неволин

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина
* Научно-исследовательский институт \glqq Орион\grqq,
03057 Киев, Украина
+ Институт электросварки им. Е.О. Патона Национальной академии наук Украины,
03680 Киев, Украина

(Получена 24 марта 2009 г. Принята к печати 14 апреля 2009 г.)

Исследованы омические контакты Au-TiBx-AuGe-n-GaP до и после быстрой термической обработки при T=723, 773 и 873 K в течение 60 с в H2. Показано, что удельное контактное сопротивление с ростом температуры уменьшается в интервале 77-232 K, что обусловлено термоэлектронным механизмом токопрохождения в неоднородном омическом контакте, а в интервале 232-386 K возрастает, что может быть связано с проводимостью по металлическим шунтам.

PACS: 73.40.Cg, 73.40.Ns

 PDF версия (618Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster