ФТП, 2009, том 43, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности механизма дефектообразования в монокристаллах CdS при облучении большими
дозами быстрых реакторных нейтронов

Г.Е.Давидюк, А.Г.Кевшин , В.В.Божко, В.В.Галян

Волынский национальный университет им. Л. Украинки,
43025 Луцк, Украина

(Получена 19 марта 2009 г. Принята к печати 26 марта 2009 г.)

Исследовались электрические и оптические свойства облученных быстрыми реакторными нейтронами дозой >=1018 см-2 монокристаллов CdS. Было установлено, что в облученном материале образуются кластеры дефектов, в которых доминирующими являются вакансии кадмия. При распаде кластеров дефектов в процессе радиационно стимулированного отжига или отжига в температурном интервале ~200-400oC решетка кристалла обогащается вакансиями Cd. Предполагается, что в образовании кластеров дефектов существенную роль играют подпороговые эффекты, связанные с преимущественным возбуждением K-оболочек атомов Cd и их кулоновским выталкиванием с ядра кластера.

PACS: 78.40.Fy, 78.55.-m

 PDF версия (555Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster