ФТП, 2009, том 43, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Образование дислокационных дефектов при заращивании квантовых точек InAs в GaAs

Н.А.Берт, А.Л.Колесникова\kern1pt*, В.Н.Неведомский, В.В.Преображенский\kern1pt+, М.А.Путято\kern1pt+,
А.Е.Романов, В.М.Селезнев\kern1pt+, Б.Р.Семягин\kern1pt+, В.В.Чалдышев\kern1pt

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Институт проблем машиноведения Российской академии наук,
199178 Санкт-Петербург, Россия
+ Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 30 декабря 2008 г. Принята к печати 6 апреля 2009 г.)

Представлены электронно-микроскопические свидетельства дислокационной релаксации напряжений вблизи квантовых точек InAs, перешедших в объем GaAs путем заращивания. Обнаружено, что в некоторых объемных квантовых точках образуются дислокационные дефекты, не выходящие на поверхность пленки. Это указывает на релаксацию напряжений в заглубленном состоянии квантовой точки, а не на стадии образования и роста островка InAs на поверхности GaAs. Приводятся модели внутренней дислокационной релаксации заращенных квантовых точек.

PACS: 61.72.Ff, 61.72.Lk, 81.07.Ta

 PDF версия (3.8Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster