Исследование электрофизических свойств кристаллов после отжигов при разных давлениях пара кадмия показало, что при малом содержании цинка ($x=0.005$ и 0.01) определяющее действие на компенсацию проводимости в $Cd$_1-xZn_xTe:Cl оказывают точечные дефекты кадмия, $V$_Cd^-2. Однако уже при содержании цинка $x>=0.05$ необходимо учитывать влияние точечных дефектов цинка $V$_Zn^-2, и для получения таких кристаллов с лучшими транспортными характеристиками в процессе выращивания материала необходимо управлять не только давлением пара кадмия, но и давлением пара цинка.

Установлена возможность управления основными электрофизическими характеристиками полуизолирующего материала с содержанием цинка  для детекторов ядерных излучений, выращиваемого методом горизонтальной направленной кристаллизации, путем регулирования давления пара кадмия в процессе послеростового отжига.

PACS: 07.85.Fv, 61.72, 71.55.Gs, 72.40.w, 78.55.Et