ФТП, 2009, том 43, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Свойства границ раздела в солнечных элементах на основе GaInP

А.С.Гудовских *, Н.А.Калюжный \fontsize414\blacksquare, В.М.Лантратов \fontsize414\blacksquare, С.А.Минтаиров \fontsize414\blacksquare,
М.З.Шварц \fontsize414\blacksquare, В.М.Андреев \fontsize414 \blacksquare*

* Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук,
195220 Санкт-Петербург, Россия
\fontsize414\blacksquare Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 5 марта 2009 г. Принята к печати 18 марта 2009 г.)

Проведены исследования влияния свойств границ раздела фосфидов атомов III группы на характеристики фотопреобразователей на основе GaInP. Показано, что большая величина разрыва валентных зон на границе p-GaAs/p-AlInP создает фундаментальные ограничения для использования слоев p-AlInP в качестве широкозонного окна в p-n-структурах фотопреобразователей, работающих при высоких уровнях концентрации солнечного излучения. Показана потенциальная возможность улучшения характеристик фотопреобразователей на основе p-n-структур при использовании двухслойного широкозонного окна, состоящего из слоев p-Al0.8Ga0.2As и p-(Al0.6Ga0.4)0.51In0.49P.

PACS: 73.20.At, 73.40.Kp, 84.60.Jt

 PDF версия (216Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster