ФТП, 2009, том 43, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Проводимость слоев халькогенидного стеклообразного полупроводника Ge2Sb2Te5 в сильных электрических полях

Э.А.Лебедев , С.А.Козюхин *, Н.Н.Константинова, Л.П.Казакова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук,
119991 Москва, Россия

(Получена 30 марта 2009 г. Принята к печати 3 апреля 2009 г.)

Изучено влияние сильных электрических полей на проводимость слоев толщиной 0.5-1 мкм халькогенидного стеклообразного полупроводника состава Ge2Sb2Te5, который используется для ячеек фазовой памяти. Установлено, что в сильных полях проявляются зависимость тока I от напряжения U вида I прапорционально Un с показателем степени n~2, связанная с токами, ограниченными пространственным зарядом, и зависимость проводимости sigma от поля F вида sigma=sigma0exp(F/F0), где F0=6·104 B·см-1, обусловленная ионизацией локальных центров. Определенное из величины токов значение подвижности составляет 10-3-10-2 см2/B·c.

PACS: 71.55.Jv, 73.40.Sx, 72.80.Ng, 73.20.Jc

 PDF версия (149Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster