ФТП, 2009, том 43, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Нелинейность вольт-амперных характеристик халькогенидных стеклообразных полупроводников, обусловленная многофононной туннельной ионизацией U-минус центров

Н.А.Богословский , К.Д.Цэндин *

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 19 марта 2009 г. Принята к печати 28 марта 2009 г.)

Рассмотрено поведение U-минус центров в сильных электрических полях. Показано, что многофононная туннельная ионизация U-минус центров в халькогенидных стеклообразных полупроводниках приводит к существенному увеличению числа электронов проводимости и, как следствие, к сильной нелинейности вольт-амперной характеристики. Данный механизм нелинейности хорошо объясняет экспериментально наблюдаемую вольт-амперную характеристику халькогенидных стеклообразных полупроводников, используемых в настоящее время в качестве ячеек памяти. PACS: 71.20.Nr, 71.23.-k, 71.23.Cq, 71.55.Jv

 PDF версия (181Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster