ФТП, 2009, том 43, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Вольт-фарадные измерения гетероструктур с квантовыми
ямами InGaAs/GaAs в диапазоне температур от 10 до 320 K

А.Н.Петровская, В.И.Зубков

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет \glqq ЛЭТИ\grqq,
197376 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 30 марта 2009 г. Принята к печати 3 апреля 2009 г.)

Приведены результаты исследования гетероструктур с одиночными напряженнными квантовыми ямами InGaAs/GaAs методом вольт-фарадных характеристик в широком интервале температур и частот измерительного сигнала. На основе анализа экспериментальных вольт-фарадных характеристик обнаружено температурное смещение пика наблюдаемого концентрационного профиля основных носителей заряда и предложена количественная модель данного явления. Определено влияние неполной ионизации примеси на величину заряда в квантовых ямах, определяемого из эксперимента. С помощью моделирования и подгонки вольт-фарадных характеристик установлено, что значение разрыва зоны проводимости для гетероструктур с напряженными квантовыми ямами InxGa1-xAs/GaAs состава x=0.225 в диапазоне температур от 320 до 100 K остается постоянным и равным 172±10 мэВ.

PACS: 73.40.Kp, 73.21.Fg, 81.07.St, 73.63.Hs

 PDF версия (497Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster