ФТП, 2009, том 43, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Подавление переходов между расщепленными уровнями трехбарьерных структур переменным пространственным зарядом

А.Б.Пашковский

ФГУП НПП \glqq Исток\grqq,
141190 Фрязино, Россия

(Получена 9 февраля 2009 г. Принята к печати 17 марта 2009 г.)

Найдено аналитическое решение нестационарных самосогласованных уравнений Шредингера и Пуассона, описывающих резонансные переходы электронов между расщепленными уровнями симметричных трехбарьерных структур в слабом высокочастотном электрическом поле. Обнаружено, что с ростом толщины барьеров особенности взаимодействия электронов на вырожденных уровнях с полем переменного пространственного заряда приводят к резкому уменьшению вероятности переходов между уровнями, а соответственно и высокочастотной проводимости трехбарьерных структур.

PACS: 73.40.-c, 73.63.Hs, 72.30.+q, 72.20.Ht

 PDF версия (139Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster