ФТП, 2009, том 43, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Уровень локальной зарядовой нейтральности и закрепление уровня Ферми в облученных нитридах wz-AIIIN (BN, AlN, GaN, InN)

В.Н.Брудный *, А.В.Кособуцкий +, Н.Г.Колин x

* Томский государственный университет,
634050 Томск, Россия
+ Кемеровский государственный университет,
650043 Кемерово, Россия
x Обнинский филиал ФГУП \glqq НИФХИ им. Л.Я. Карпова\grqq,
249033 Обнинск, Россия

(Получена 26 января 2009 г. Принята к печати 13 марта 2009 г.)

На основе теории функционала плотности (DFT-GGA) и метода специальных точек рассчитаны электронные спектры и энергетическое положение уровня локальной зарядовой нейтральности (CNL) в соединениях BN, AlN, GaN и InN со структурой вюрцита с использованием различных эвристических моделей. Показано, что с ростом атомного веса катиона в соединениях wz-AIIIN имеет место смещение уровня CNL из положения вблизи середины запрещенной зоны в соединениях BN и AlN в верхнюю половину запрещенной зоны в GaN и в область разрешенных энергий зоны проводимости в InN, что определяет полуизолирующие свойства BN и AlN, n-тип проводимости GaN и n+-тип проводимости InN при насыщении нитридов wz-AIIIN собственными дефектами решетки при высокоэнергетическом облучении.

PACS: 61.72.Bb, 61.72.up, 61.80.Az, 61.82.Fk

 PDF версия (268Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster