ФТП, 2009, том 43, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Коротковолновый край собственной фотолюминесценции в слабых твердых растворах GaNxAs1-x

А.А.Гуткин\kern1pt, П.Н.Брунков, А.Ю.Егоров

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 7 апреля 2009 г. Принята к печати 10 апреля 2009 г.)

Предложено использовать анализ коротковолнового края собственной фотолюминесценции слабых твердых растворов GaNxAs1-x при комнатной температуре для исследования особенностей энергетической зависимости плотности состояний в зоне проводимости. Обнаружено, что в GaNxAs1-x при x>=0.002 эта зависимость не согласуется с моделью антипересечения зон и свидетельствует о появлении добавочных состояний. Последние связываются с возникновением взаимодействующих с зоной проводимости состояний кластеров азота, энергия которых находится не менее чем на 1.45 эВ выше потолка валентной зоны.

PACS: 78.55.Cr, 71.20.Nr

 PDF версия (211Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster