ФТП, 2009, том 43, выпуск 10ФТП, 2009, том 43, выпуск 10| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск |
|---|
| Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников | |
| Рутьков Е.В., Галль Н.Р. Проникновение атомов меди (интеркалирование) под графеновый слой на иридии (111) | 1297 |
|---|---|
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Пихтин А.Н., Хегази Х.Х. Край собственного поглощения полупроводниковых твердых растворов с прямой структурой энергетических зон | 1301 |
| Гуткин А.А., Брунков П.Н., Егоров А.Ю. Коротковолновый край собственной фотолюминесценции в слабых твердых растворах | 1308 |
| Брудный В.Н., Кособуцкий А.В., Колин Н.Г. Уровень локальной зарядовой нейтральности и закрепление уровня Ферми в облученных нитридах wz-AN (BN, AlN, GaN, InN) | 1312 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Стафеев В.И. Термоэлектрические и другие явления в структурах с неравновесными носителями заряда и наночастицами | 1321 |
| Орбух В.И., Лебедева Н.Н., Саламов Б.Г. Влияние поверхностной проводимости полупроводникового электрода на распределение газорязрядного тока | 1329 |
| Калыгина В.М., Слюнько Е.С. Влияние глубокой примеси на электрические характеристики эпитаксиальных структур на основе GaAs | 1333 |
| Марциновский Г.А., Шандыбина Г.Д., Дементьева Ю.С., Дюкин Р.В., Заботнов С.В., Головань Л.А., Кашкаров П.К. Возбуждение поверхностных электромагнитных волн в полупроводниках при фемтосекундном лазерном воздействии | 1339 |
| Низкоразмерные системы | |
| Ткач Н.В., Сети Ю.А. Плоские двухбарьерные резонансно-туннельные структуры: резонансные энергии и резонансные ширины квазистационарных состояний электрона | 1346 |
| Пашковский А.Б. Подавление переходов между расщепленными уровнями трехбарьерных структур переменным пространственным зарядом | 1356 |
| Семенов А.В., Лопин А.В., Пузиков В.М., Борискин В.Н. Влияние облучения на свойства нанокристаллических пленок карбида кремния | 1362 |
| Петровская А.Н., Зубков В.И. Вольт-фарадные измерения гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs в диапазоне температур от 10 до 320 K | 1368 |
| Винокуров Д.А., Капитонов В.А., Николаев Д.Н., Соколова З.Н., Станкевич А.Л., Шамахов В.В., Тарасов И.С. Исследование оптических характеристик структур с сильно напряженными квантовыми ямами InGaAs | 1374 |
| Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты | |
| Богословский Н.А., Цэндин К.Д. Нелинейность вольт-амперных характеристик халькогенидных стеклообразных полупроводников, обусловленная многофононной туннельной ионизацией -минус центров | 1378 |
| Лебедев Э.А., Козюхин С.А., Константинова Н.Н., Казакова Л.П. Проводимость слоев халькогенидного стеклообразного полупроводника в сильных электрических полях | 1383 |
| Беляков Л.В., Вайнштейн Ю.С., Горячев Д.Н., Сресели О.М. Решающая роль синглетной формы кислорода в формировании фотолюминесценции нанопористого кремния | 1387 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Павлюченко А.С., Рожанский И.В., Закгейм Д.А. Проявление инжекционного механизма падения эффективности светодиодов на основе AlInGaN в температурной зависимости внешнего квантового выхода | 1391 |
| Грушко Н.С., Вострецова Л.Н., Амброзевич А.С., Кагарманов А.С. Влияние температуры на ампер-яркостные характеристики светодиодной структуры на основе InGaN | 1396 |
| Гудовских А.С., Калюжный Н.А., Лантратов В.М., Минтаиров С.А., Шварц М.З., Андреев В.М. Свойства границ раздела в солнечных элементах на основе GaInP | 1403 |
| Слипченко С.О., Винокуров Д.А., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Станкевич А.Л., Фетисова Н.В., Бондарев А.Д., Тарасов И.С. Срыв генерации в мощных полупроводниковых лазерах | 1409 |
| Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур | |
| Александров О.В., Дусь А.И. Эффект ориентации поверхности кремния в модели объемного термического окисления | 1413 |
| Зеленина Н.К., Карпенко В.П., Матвеев О.А., Седов В.Е., Терентьев А.И., Томасов А.А. Выращивание и отжиг кристаллов с разным содержанием цинка для детекторов ядерного излучения | 1419 |
| Берт Н.А., Колесникова А.Л., Неведомский В.Н., Преображенский В.В., Путято М.А., Романов А.Е., Селезнев В.М., Семягин Б.Р., Чалдышев В.В. Образование дислокационных дефектов при заращивании квантовых точек InAs в GaAs | 1426 |
| Смирнова И.В., Шилова О.А., Мошников В.А., Гамарц А.Е. Особенности совместной диффузии бора и гадолиния в кремний из наноразмерных гибридных органо-неорганических пленок | 1434 |