| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Фазообразование под воздействием спинодального
распада в эпитаксиальных твердых растворах
гетероструктур GaInP/GaAs(100)
П.В.Середин , Э.П.Домашевская, Вал.Е.Руднева, В.Е.Руднева, Н.Н.Гордиенко,
А.В.Глотов, И.Н.Арсентьев , Д.А.Винокуров,
А.Л.Станкевич , И.С.Тарасов
Воронежский государственный университет,
394006 Воронеж, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
(Получена 22 января 2009 г. Принята к печати 4 февраля 2009 г.)
|
Методами рентгеновской дифракции и электронной микроскопии изучено явление неустойчивости твердых растворов полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур GaInP/GaAs(100) в области составов . Показана возможность появления модулированных релаксационных структур на поверхности твердого раствора GaInP, вследствие чего появляются сателлиты основных рентгеновских рефлексов, соответствующих однофазной структуре. PACS: 64.75.-g, 81.30.-t |
| PDF версия (2.6Mb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2009, Коллектив авторов Разработано... webmaster |