ФТП, 2009, том 43, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фазообразование под воздействием спинодального
распада в эпитаксиальных твердых растворах
гетероструктур GaxIn1-xP/GaAs(100)

П.В.Середин , Э.П.Домашевская, Вал.Е.Руднева, В.Е.Руднева, Н.Н.Гордиенко,
А.В.Глотов, И.Н.Арсентьев *,, Д.А.Винокуров *,
А.Л.Станкевич *, И.С.Тарасов *

Воронежский государственный университет,
394006 Воронеж, Россия
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 22 января 2009 г. Принята к печати 4 февраля 2009 г.)

Методами рентгеновской дифракции и электронной микроскопии изучено явление неустойчивости твердых растворов полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур GaxIn1-xP/GaAs(100) в области составов x~0.50. Показана возможность появления модулированных релаксационных структур на поверхности твердого раствора GaxIn1-xP, вследствие чего появляются сателлиты основных рентгеновских рефлексов, соответствующих однофазной структуре.

PACS: 64.75.-g, 81.30.-t

 PDF версия (2.6Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster