ФТП, 2009, том 43, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотолюминесценция кремния
после осаждения поликристаллических пленок алмаза

Д.Ф.Аминев, В.С.Багаев, Т.И.Галкина, А.Ю.Клоков\kern1pt, В.С.Кривобок,
В.Г.Ральченко\kern1pt*, А.В.Савельев\kern1pt*

Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,
119991 Москва, Россия
* Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук,
119991 Москва, Россия

(Получена 26 января 2009 г. Принята к печати 4 февраля 2009 г.)

Исследована низкотемпературная (5 K) фотолюминесценция в области 0.8-1.2 эВ подложек кремния до и после осаждения пленок поликристаллического алмаза. Алмазные пленки осаждались в микроволновой плазме при температуре 750-850oC на чистый (rho~3 кОм·см) бездислокационный кремний, подвергнутый механической полировке или более совершенной химико-механической полировке. В спектре фотолюминесценции образцов, в которых кремниевая подложка подвергалась химико-механической полировке, регистрируются линии D1 и D2, связанные с дислокационным излучением. Возникновение дислокаций в этих подложках определяется хорошей адгезией алмазной пленки и, как следствие, появлением внутренних напряжений, релаксирующих в виде дислокаций. Полученные спектры практически идентичны спектрам фотолюминесценции, измеренным для кремния (rho~100 Ом·см) с плотностью дислокаций ~104 см-2.

PACS: 78.55.Ap, 81.15.Gh, 81.40.Tv

 PDF версия (1.7Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster