ФТП, 2009, том 43, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Динамика локального микропробоя в гейгеровском режиме работы лавинных фотодиодов

А.В.Верховцева , В.А.Гергель

Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук,
125009 Москва, Россия

(Получена 1 октября 2008 г. Принята к печати 23 октября 2008 г.)

Методами математического моделирования исследована динамика развития микропробоя в кремниевых лавинных фотодиодных структурах. Построенная модель учитывает локальность области лавинного умножения, возникающей при поглощении единичного фотона, и запаздывание растекания лавинного тока по площади тыльного электрода диода. Проведенные вычисления показывают две различные фазы переходного процесса формирования электрического сигнала: быструю (за счет растекания тока) и медленную (за счет обычной RC-перезарядки). Рассчитаны величины нагрузочных сопротивлений, необходимые для реализации импульсного режима работы лавинных фотодиодных структур, для серии актуальных значений емкости диода и сопротивления растекания тыльного электрода.

PACS: 73.40.Lq, 85.30.Mn, 85.60.Dw

 PDF версия (168Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster