| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Свойства GaAsN нитевидных нанокристаллов, полученных методом магнетронного осаждения
И.П.Сошников, Г.Э.Цырлин, А.М.Надточий, В.Г.Дубровский, М.А.Букин,
В.А.Петров, В.В.Бусов, С.И.Трошков
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук,
195220 Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук,
198103 Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
(Получена 2 декабря 2008 г. Принята к печати 9 декабря 2008 г.)
|
Продемонстрирована возможность использования метода магнетронного осаждения в плазмообразующей смеси Ar-N для синтеза массивов GaAsN нитевидных нанокристаллов (ННК) с характерными диаметрами от 10 до 200 нм и длиной до 3000 нм. Получены данные о зависимости характера роста ННК от физических параметров (размера затравочных капель Au, скорости осаждения, кристаллографического типа поверхности и температуры подложки). Анализ зависимости высоты от диаметра ННК показывает, что механизм роста является преимущественно диффузионным. Стабильное содержание азота наблюдается при температуре роста в диапазоне C и составляет выше 2.7%. При температурах подложки в диапазоне C наблюдается резкое падение содержания азота в твердых растворах. Исследования спектров фотолюминесценции полученных образцов показывают красное смещение полосы излучения, что связано с увеличением процентного содержания азота. Установлена зависимость положения полосы люминесценции и содержания азота от температуры. Наблюдается увеличение интенсивности фотолюминесценции образцов ННК GaAsN с содержанием азота 2.7% в раз по сравнению с планарными слоями, что объясняется отсутствием дефектов в структуре ННК. PACS: 61.46.Hk, 78.55.-m |
| PDF версия (1.2Mb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2009, Коллектив авторов Разработано... webmaster |