ФТП, 2009, том 43, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Спин-орбитальное взаимодействие носителей заряда с примесями в ориентированных нанопроволоках Ge0.99Me0.01 (Me = Mn, Cr, Co, Fe)

Р.Б.Моргунов\kern1pt, А.И.Дмитриев, Ф.Б.Мушенок, О.Л.Казакова\kern1pt*

Институт проблем химической физики Российской академии наук,
142432 Черноголовка, Россия
* Национальная физическая лаборатория, Теддингтон,
Соединенное королевство Великобритании

(Получена 13 ноября 2008 г. Принята к печати 25 ноября 2008 г.)

Методом электронного спинового резонанса исследованы ориентированные нанопроволоки Ge0.99Me0.01 (Me = Mn, Cr, Co, Fe). В спектрах электронного спинового резонанса идентифицированы линии, отвечающие магнитоупорядоченной подсистеме локализованных спинов (кластеров сплавов Ge с переходными металлами), и асимметричная линия Дайсона, отвечающая электронному парамагнитному резонансу носителей заряда в Ge. Обнаружено закономерное уменьшение эффективного g-фактора асимметричной линии Дайсона с увеличением спин-орбитального взаимодействия в ряду ионов переходных металлов Mn2+, Cr2+, Fe3+, Co2+, которыми были легированы нанопроволоки Ge.

PACS: 75.75.+a, 76.50.+g

 PDF версия (221Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster